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描述：
DIODE ARRAY SCHOTTKY 600V TO247
参数：
*二极管配置:1 对共阴极 *二极管类型:碳化硅肖特基 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:10A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 10A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200µA @ 600V 工作温度 - 结:175°C（最大） 安装类型:通孔 标签: 包装:
|
二极管配置：1 对共阴极
二极管类型：碳化硅肖特基
电压 - dc 反向（vr）（最大值）：600V
电流 - 平均整流（io）（每二极管）：10A（DC）
速度：无恢复时间 > 500mA（Io）
|
丝印：
外壳：
封装：TO-247
料号：E4-660
包装：
|
|
购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SCS120AE2C' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
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|
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型号： UMP11NTN复制
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描述：
DIODE ARRAY GP 80V 100MA UMD6
参数：
*二极管配置:1 对共阴极 *二极管类型:碳化硅肖特基 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:10A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 10A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200µA @ 600V 工作温度 - 结:175°C（最大） 安装类型:通孔 标签: 包装: *二极管配置:2 对共阳极 *二极管类型:标准 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:80V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:100mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 100mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 70V 工作温度 - 结:150°C（最大） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装:
|
二极管配置：2 对共阳极
二极管类型：标准
电压 - dc 反向（vr）（最大值）：80V
电流 - 平均整流（io）（每二极管）：100mA
速度：小信号 =< 200mA（Io），任意速度
|
丝印：
外壳：
封装：UMD6
料号：E4-1026
包装：
|
|
购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'UMP11NTN' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
总额：
|
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array(60) {
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型号： IMN10T108复制
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描述：
DIODE ARRAY GP 80V 100MA 6SMD
参数：
*二极管配置:1 对共阴极 *二极管类型:碳化硅肖特基 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:10A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 10A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200µA @ 600V 工作温度 - 结:175°C（最大） 安装类型:通孔 标签: 包装: *二极管配置:2 对共阳极 *二极管类型:标准 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:80V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:100mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 100mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 70V 工作温度 - 结:150°C（最大） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: *二极管配置:3 个独立式 *二极管类型:标准 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:80V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:100mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 100mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 70V 工作温度 - 结:150°C（最大） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装:
|
二极管配置：3 个独立式
二极管类型：标准
电压 - dc 反向（vr）（最大值）：80V
电流 - 平均整流（io）（每二极管）：100mA
速度：小信号 =< 200mA（Io），任意速度
|
丝印：
外壳：
封装：6-SMD
料号：E4-1029
包装：
|
|
购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IMN10T108' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
总额：
|
|
array(60) {
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string(4) "1037"
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string(99) "http://rohmfs.rohm.com/en/products/databook/datasheet/discrete/diode/schottky_barrier/rb095b-60.pdf"
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string(31) "DIODE ARRAY SCHOTTKY 60V 3A CPD"
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string(18) "Rohm Semiconductor"
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string(14) "1 对共阴极"
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string(39) "快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）"
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string(12) "300µA @ 60V"
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string(3) "116"
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描述：
DIODE ARRAY SCHOTTKY 60V 3A CPD
参数：
*二极管配置:1 对共阴极 *二极管类型:碳化硅肖特基 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:10A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 10A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200µA @ 600V 工作温度 - 结:175°C（最大） 安装类型:通孔 标签: 包装: *二极管配置:2 对共阳极 *二极管类型:标准 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:80V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:100mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 100mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 70V 工作温度 - 结:150°C（最大） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: *二极管配置:3 个独立式 *二极管类型:标准 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:80V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:100mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 100mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 70V 工作温度 - 结:150°C（最大） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: *二极管配置:1 对共阴极 *二极管类型:肖特基 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:60V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:580mV @ 3A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:300µA @ 60V 工作温度 - 结:150°C（最大） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装:
|
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|
丝印：
外壳：
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料号：E4-1037
包装：
|
|
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描述：
DIODE ARRAY SCHOTTKY 650V TO247
参数：
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二极管配置：1 对共阴极
二极管类型：碳化硅肖特基
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丝印：
外壳：
封装：TO-247
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
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描述：
DIODE ARRAY SCHOTTKY 650V TO247
参数：
*二极管配置:1 对共阴极 *二极管类型:碳化硅肖特基 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:10A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 10A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200µA @ 600V 工作温度 - 结:175°C（最大） 安装类型:通孔 标签: 包装: *二极管配置:2 对共阳极 *二极管类型:标准 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:80V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:100mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 100mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 70V 工作温度 - 结:150°C（最大） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: *二极管配置:3 个独立式 *二极管类型:标准 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:80V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:100mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 100mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 70V 工作温度 - 结:150°C（最大） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: *二极管配置:1 对共阴极 *二极管类型:肖特基 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:60V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:580mV @ 3A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:300µA @ 60V 工作温度 - 结:150°C（最大） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: *二极管配置:1 对共阴极 *二极管类型:碳化硅肖特基 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:650V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:15A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.55V @ 15A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:300µA @ 600V 工作温度 - 结:175°C（最大） 安装类型:通孔 标签: 包装: *二极管配置:1 对共阴极 *二极管类型:碳化硅肖特基 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:650V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:20A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.55V @ 20A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:400µA @ 600V 工作温度 - 结:175°C（最大） 安装类型:通孔 标签: 包装:
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二极管配置：1 对共阴极
二极管类型：碳化硅肖特基
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丝印：
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
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描述：
DIODE ARRAY SCHOTTKY 1200V TO247
参数：
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|
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封装：TO-247
料号：E4-1079
包装：
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描述：
DIODE ARRAY SCHOTTKY 1200V TO247
参数：
*二极管配置:1 对共阴极 *二极管类型:碳化硅肖特基 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:10A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 10A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200µA @ 600V 工作温度 - 结:175°C（最大） 安装类型:通孔 标签: 包装: *二极管配置:2 对共阳极 *二极管类型:标准 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:80V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:100mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 100mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 70V 工作温度 - 结:150°C（最大） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: *二极管配置:3 个独立式 *二极管类型:标准 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:80V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:100mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 100mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 70V 工作温度 - 结:150°C（最大） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: *二极管配置:1 对共阴极 *二极管类型:肖特基 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:60V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:580mV @ 3A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:300µA @ 60V 工作温度 - 结:150°C（最大） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: *二极管配置:1 对共阴极 *二极管类型:碳化硅肖特基 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:650V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:15A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.55V @ 15A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:300µA @ 600V 工作温度 - 结:175°C（最大） 安装类型:通孔 标签: 包装: *二极管配置:1 对共阴极 *二极管类型:碳化硅肖特基 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:650V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:20A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.55V @ 20A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:400µA @ 600V 工作温度 - 结:175°C（最大） 安装类型:通孔 标签: 包装: *二极管配置:1 对共阴极 *二极管类型:碳化硅肖特基 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:1200V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:10A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.6V @ 10A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200µA @ 1200V 工作温度 - 结:175°C（最大） 安装类型:通孔 标签: 包装: *二极管配置:1 对共阴极 *二极管类型:碳化硅肖特基 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:1200V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:20A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:20A（DC） *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:400µA @ 1200V 工作温度 - 结:175°C（最大） 安装类型:通孔 标签: 包装:
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二极管配置：1 对共阴极
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丝印：
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料号：E4-1094
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SCS240KE2C' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： RB225T100复制
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DIODE ARRAY SCHOTTKY 110V TO220F
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丝印：
外壳：
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料号：E4-1355
包装：
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描述：
DIODE ARRAY SCHOTTKY 600V TO247
参数：
*二极管配置:1 对共阴极 *二极管类型:碳化硅肖特基 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:10A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 10A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200µA @ 600V 工作温度 - 结:175°C（最大） 安装类型:通孔 标签: 包装: *二极管配置:2 对共阳极 *二极管类型:标准 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:80V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:100mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 100mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 70V 工作温度 - 结:150°C（最大） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: *二极管配置:3 个独立式 *二极管类型:标准 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:80V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:100mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 100mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 70V 工作温度 - 结:150°C（最大） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: *二极管配置:1 对共阴极 *二极管类型:肖特基 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:60V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:580mV @ 3A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:300µA @ 60V 工作温度 - 结:150°C（最大） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: *二极管配置:1 对共阴极 *二极管类型:碳化硅肖特基 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:650V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:15A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.55V @ 15A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:300µA @ 600V 工作温度 - 结:175°C（最大） 安装类型:通孔 标签: 包装: *二极管配置:1 对共阴极 *二极管类型:碳化硅肖特基 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:650V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:20A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.55V @ 20A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:400µA @ 600V 工作温度 - 结:175°C（最大） 安装类型:通孔 标签: 包装: *二极管配置:1 对共阴极 *二极管类型:碳化硅肖特基 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:1200V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:10A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.6V @ 10A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200µA @ 1200V 工作温度 - 结:175°C（最大） 安装类型:通孔 标签: 包装: *二极管配置:1 对共阴极 *二极管类型:碳化硅肖特基 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:1200V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:20A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:20A（DC） *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:400µA @ 1200V 工作温度 - 结:175°C（最大） 安装类型:通孔 标签: 包装: *二极管配置:1 对共阴极 *二极管类型:肖特基 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:110V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:860mV @ 15A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:400µA @ 100V 工作温度 - 结:150°C（最大） 安装类型:通孔 标签: 包装: *二极管配置:1 对共阴极 *二极管类型:碳化硅肖特基 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:20A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 20A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:400µA @ 600V 工作温度 - 结:175°C（最大） 安装类型:通孔 标签: 包装:
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二极管配置：1 对共阴极
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电压 - dc 反向（vr）（最大值）：600V
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丝印：
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封装：TO-247
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|
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
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型号： RSX1001T3复制
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描述：
DIODE ARRAY SCHOTTKY 90V TO220FN
参数：
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丝印：
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封装：TO-220FN
料号：E4-5480
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
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DIODE ARRAY SCHOTTKY 90V EMD4
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描述：
DIODE ARRAY GP 200V 3A TO220FN
参数：
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描述：
DIODE ARRAY SCHOTTKY 60V TO220FN
参数：
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描述：
DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V TO220FN
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型号： RF2001T2D复制
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描述：
DIODE ARRAY GP 200V 10A TO220FN
参数：
*二极管配置:1 对共阴极 *二极管类型:碳化硅肖特基 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:10A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 10A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200µA @ 600V 工作温度 - 结:175°C（最大） 安装类型:通孔 标签: 包装: *二极管配置:2 对共阳极 *二极管类型:标准 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:80V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:100mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 100mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 70V 工作温度 - 结:150°C（最大） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: *二极管配置:3 个独立式 *二极管类型:标准 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:80V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:100mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 100mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 70V 工作温度 - 结:150°C（最大） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: *二极管配置:1 对共阴极 *二极管类型:肖特基 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:60V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:580mV @ 3A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:300µA @ 60V 工作温度 - 结:150°C（最大） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: *二极管配置:1 对共阴极 *二极管类型:碳化硅肖特基 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:650V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:15A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.55V @ 15A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:300µA @ 600V 工作温度 - 结:175°C（最大） 安装类型:通孔 标签: 包装: *二极管配置:1 对共阴极 *二极管类型:碳化硅肖特基 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:650V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:20A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.55V @ 20A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:400µA @ 600V 工作温度 - 结:175°C（最大） 安装类型:通孔 标签: 包装: *二极管配置:1 对共阴极 *二极管类型:碳化硅肖特基 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:1200V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:10A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.6V @ 10A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200µA @ 1200V 工作温度 - 结:175°C（最大） 安装类型:通孔 标签: 包装: *二极管配置:1 对共阴极 *二极管类型:碳化硅肖特基 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:1200V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:20A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:20A（DC） *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:400µA @ 1200V 工作温度 - 结:175°C（最大） 安装类型:通孔 标签: 包装: *二极管配置:1 对共阴极 *二极管类型:肖特基 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:110V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:860mV @ 15A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:400µA @ 100V 工作温度 - 结:150°C（最大） 安装类型:通孔 标签: 包装: *二极管配置:1 对共阴极 *二极管类型:碳化硅肖特基 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:20A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 20A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:400µA @ 600V 工作温度 - 结:175°C（最大） 安装类型:通孔 标签: 包装: *二极管配置:1 对共阴极 *二极管类型:肖特基 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:30V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:450mV @ 5A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 30V 工作温度 - 结:150°C（最大） 安装类型:通孔 标签: 包装: *二极管配置:1 对共阴极 *二极管类型:肖特基 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:90V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:7.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:780mV @ 7.5A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:300µA @ 90V 工作温度 - 结:150°C（最大） 安装类型:通孔 标签: 包装: *二极管配置:2 个独立式 *二极管类型:肖特基 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:90V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:100mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:690mV @ 100mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 90V 工作温度 - 结:125°C（最大） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: *二极管配置:1 对共阴极 *二极管类型:标准 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:200V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:930mV @ 3A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:25ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 200V 工作温度 - 结:150°C（最大） 安装类型:通孔 标签: 包装: *二极管配置:1 对共阴极 *二极管类型:肖特基 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:60V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:580mV @ 3A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:300µA @ 60V 工作温度 - 结:150°C（最大） 安装类型:通孔 标签: 包装: *二极管配置:1 对共阴极 *二极管类型:肖特基 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:40V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 5A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200µA @ 40V 工作温度 - 结:150°C（最大） 安装类型:通孔 标签: 包装: *二极管配置:1 对共阴极 *二极管类型:标准 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:200V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:10A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:930mV @ 10A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:30ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 200V 工作温度 - 结:150°C（最大） 安装类型:通孔 标签: 包装:
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二极管配置：1 对共阴极
二极管类型：标准
电压 - dc 反向（vr）（最大值）：200V
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速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
|
丝印：
外壳：
封装：TO-220FN
料号：E4-5711
包装：
|
|
购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'RF2001T2D' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
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总额：
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型号： RB205T-40复制
SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'RB205T-40' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1
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DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V TO220FN
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*二极管配置:1 对共阴极 *二极管类型:碳化硅肖特基 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:10A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 10A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200µA @ 600V 工作温度 - 结:175°C（最大） 安装类型:通孔 标签: 包装: *二极管配置:2 对共阳极 *二极管类型:标准 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:80V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:100mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 100mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 70V 工作温度 - 结:150°C（最大） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: *二极管配置:3 个独立式 *二极管类型:标准 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:80V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:100mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 100mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 70V 工作温度 - 结:150°C（最大） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: *二极管配置:1 对共阴极 *二极管类型:肖特基 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:60V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:580mV @ 3A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:300µA @ 60V 工作温度 - 结:150°C（最大） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: *二极管配置:1 对共阴极 *二极管类型:碳化硅肖特基 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:650V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:15A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.55V @ 15A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:300µA @ 600V 工作温度 - 结:175°C（最大） 安装类型:通孔 标签: 包装: *二极管配置:1 对共阴极 *二极管类型:碳化硅肖特基 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:650V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:20A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.55V @ 20A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:400µA @ 600V 工作温度 - 结:175°C（最大） 安装类型:通孔 标签: 包装: *二极管配置:1 对共阴极 *二极管类型:碳化硅肖特基 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:1200V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:10A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.6V @ 10A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200µA @ 1200V 工作温度 - 结:175°C（最大） 安装类型:通孔 标签: 包装: *二极管配置:1 对共阴极 *二极管类型:碳化硅肖特基 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:1200V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:20A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:20A（DC） *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:400µA @ 1200V 工作温度 - 结:175°C（最大） 安装类型:通孔 标签: 包装: *二极管配置:1 对共阴极 *二极管类型:肖特基 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:110V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:860mV @ 15A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:400µA @ 100V 工作温度 - 结:150°C（最大） 安装类型:通孔 标签: 包装: *二极管配置:1 对共阴极 *二极管类型:碳化硅肖特基 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:20A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 20A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:400µA @ 600V 工作温度 - 结:175°C（最大） 安装类型:通孔 标签: 包装: *二极管配置:1 对共阴极 *二极管类型:肖特基 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:30V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:450mV @ 5A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 30V 工作温度 - 结:150°C（最大） 安装类型:通孔 标签: 包装: *二极管配置:1 对共阴极 *二极管类型:肖特基 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:90V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:7.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:780mV @ 7.5A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:300µA @ 90V 工作温度 - 结:150°C（最大） 安装类型:通孔 标签: 包装: *二极管配置:2 个独立式 *二极管类型:肖特基 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:90V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:100mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:690mV @ 100mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 90V 工作温度 - 结:125°C（最大） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: *二极管配置:1 对共阴极 *二极管类型:标准 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:200V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:930mV @ 3A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:25ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 200V 工作温度 - 结:150°C（最大） 安装类型:通孔 标签: 包装: *二极管配置:1 对共阴极 *二极管类型:肖特基 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:60V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:580mV @ 3A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:300µA @ 60V 工作温度 - 结:150°C（最大） 安装类型:通孔 标签: 包装: *二极管配置:1 对共阴极 *二极管类型:肖特基 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:40V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 5A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200µA @ 40V 工作温度 - 结:150°C（最大） 安装类型:通孔 标签: 包装: *二极管配置:1 对共阴极 *二极管类型:标准 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:200V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:10A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:930mV @ 10A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:30ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 200V 工作温度 - 结:150°C（最大） 安装类型:通孔 标签: 包装: *二极管配置:1 对共阴极 *二极管类型:肖特基 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:40V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:7.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 7.5A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:300µA @ 40V 工作温度 - 结:150°C（最大） 安装类型:通孔 标签: 包装:
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丝印：
外壳：
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料号：E4-5712
包装：
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描述：
DIODE ARRAY SCHOTTKY 60V TO252
参数：
*二极管配置:1 对共阴极 *二极管类型:碳化硅肖特基 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:10A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 10A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200µA @ 600V 工作温度 - 结:175°C（最大） 安装类型:通孔 标签: 包装: *二极管配置:2 对共阳极 *二极管类型:标准 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:80V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:100mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 100mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 70V 工作温度 - 结:150°C（最大） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: *二极管配置:3 个独立式 *二极管类型:标准 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:80V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:100mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 100mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 70V 工作温度 - 结:150°C（最大） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: *二极管配置:1 对共阴极 *二极管类型:肖特基 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:60V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:580mV @ 3A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:300µA @ 60V 工作温度 - 结:150°C（最大） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: *二极管配置:1 对共阴极 *二极管类型:碳化硅肖特基 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:650V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:15A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.55V @ 15A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:300µA @ 600V 工作温度 - 结:175°C（最大） 安装类型:通孔 标签: 包装: *二极管配置:1 对共阴极 *二极管类型:碳化硅肖特基 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:650V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:20A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.55V @ 20A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:400µA @ 600V 工作温度 - 结:175°C（最大） 安装类型:通孔 标签: 包装: *二极管配置:1 对共阴极 *二极管类型:碳化硅肖特基 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:1200V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:10A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.6V @ 10A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200µA @ 1200V 工作温度 - 结:175°C（最大） 安装类型:通孔 标签: 包装: *二极管配置:1 对共阴极 *二极管类型:碳化硅肖特基 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:1200V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:20A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:20A（DC） *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:400µA @ 1200V 工作温度 - 结:175°C（最大） 安装类型:通孔 标签: 包装: *二极管配置:1 对共阴极 *二极管类型:肖特基 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:110V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:860mV @ 15A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:400µA @ 100V 工作温度 - 结:150°C（最大） 安装类型:通孔 标签: 包装: *二极管配置:1 对共阴极 *二极管类型:碳化硅肖特基 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:20A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 20A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:400µA @ 600V 工作温度 - 结:175°C（最大） 安装类型:通孔 标签: 包装: *二极管配置:1 对共阴极 *二极管类型:肖特基 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:30V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:450mV @ 5A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 30V 工作温度 - 结:150°C（最大） 安装类型:通孔 标签: 包装: *二极管配置:1 对共阴极 *二极管类型:肖特基 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:90V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:7.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:780mV @ 7.5A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:300µA @ 90V 工作温度 - 结:150°C（最大） 安装类型:通孔 标签: 包装: *二极管配置:2 个独立式 *二极管类型:肖特基 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:90V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:100mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:690mV @ 100mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 90V 工作温度 - 结:125°C（最大） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: *二极管配置:1 对共阴极 *二极管类型:标准 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:200V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:930mV @ 3A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:25ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 200V 工作温度 - 结:150°C（最大） 安装类型:通孔 标签: 包装: *二极管配置:1 对共阴极 *二极管类型:肖特基 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:60V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:580mV @ 3A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:300µA @ 60V 工作温度 - 结:150°C（最大） 安装类型:通孔 标签: 包装: *二极管配置:1 对共阴极 *二极管类型:肖特基 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:40V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 5A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200µA @ 40V 工作温度 - 结:150°C（最大） 安装类型:通孔 标签: 包装: *二极管配置:1 对共阴极 *二极管类型:标准 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:200V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:10A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:930mV @ 10A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:30ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 200V 工作温度 - 结:150°C（最大） 安装类型:通孔 标签: 包装: *二极管配置:1 对共阴极 *二极管类型:肖特基 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:40V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:7.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 7.5A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:300µA @ 40V 工作温度 - 结:150°C（最大） 安装类型:通孔 标签: 包装: *二极管配置:- *二极管类型:- *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:- *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *速度:- 反向恢复时间（trr）:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 工作温度 - 结:- 安装类型:- 标签: 包装:
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型号： BAW56T116复制
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描述：
DIODE ARRAY GP 70V 215MA SSD3
参数：
*二极管配置:1 对共阴极 *二极管类型:碳化硅肖特基 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:10A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 10A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200µA @ 600V 工作温度 - 结:175°C（最大） 安装类型:通孔 标签: 包装: *二极管配置:2 对共阳极 *二极管类型:标准 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:80V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:100mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 100mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 70V 工作温度 - 结:150°C（最大） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: *二极管配置:3 个独立式 *二极管类型:标准 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:80V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:100mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 100mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 70V 工作温度 - 结:150°C（最大） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: *二极管配置:1 对共阴极 *二极管类型:肖特基 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:60V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:580mV @ 3A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:300µA @ 60V 工作温度 - 结:150°C（最大） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: *二极管配置:1 对共阴极 *二极管类型:碳化硅肖特基 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:650V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:15A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.55V @ 15A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:300µA @ 600V 工作温度 - 结:175°C（最大） 安装类型:通孔 标签: 包装: *二极管配置:1 对共阴极 *二极管类型:碳化硅肖特基 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:650V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:20A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.55V @ 20A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:400µA @ 600V 工作温度 - 结:175°C（最大） 安装类型:通孔 标签: 包装: *二极管配置:1 对共阴极 *二极管类型:碳化硅肖特基 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:1200V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:10A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.6V @ 10A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200µA @ 1200V 工作温度 - 结:175°C（最大） 安装类型:通孔 标签: 包装: *二极管配置:1 对共阴极 *二极管类型:碳化硅肖特基 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:1200V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:20A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:20A（DC） *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:400µA @ 1200V 工作温度 - 结:175°C（最大） 安装类型:通孔 标签: 包装: *二极管配置:1 对共阴极 *二极管类型:肖特基 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:110V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:860mV @ 15A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:400µA @ 100V 工作温度 - 结:150°C（最大） 安装类型:通孔 标签: 包装: *二极管配置:1 对共阴极 *二极管类型:碳化硅肖特基 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:20A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 20A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:400µA @ 600V 工作温度 - 结:175°C（最大） 安装类型:通孔 标签: 包装: *二极管配置:1 对共阴极 *二极管类型:肖特基 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:30V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:450mV @ 5A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 30V 工作温度 - 结:150°C（最大） 安装类型:通孔 标签: 包装: *二极管配置:1 对共阴极 *二极管类型:肖特基 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:90V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:7.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:780mV @ 7.5A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:300µA @ 90V 工作温度 - 结:150°C（最大） 安装类型:通孔 标签: 包装: *二极管配置:2 个独立式 *二极管类型:肖特基 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:90V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:100mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:690mV @ 100mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 90V 工作温度 - 结:125°C（最大） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: *二极管配置:1 对共阴极 *二极管类型:标准 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:200V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:930mV @ 3A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:25ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 200V 工作温度 - 结:150°C（最大） 安装类型:通孔 标签: 包装: *二极管配置:1 对共阴极 *二极管类型:肖特基 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:60V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:580mV @ 3A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:300µA @ 60V 工作温度 - 结:150°C（最大） 安装类型:通孔 标签: 包装: *二极管配置:1 对共阴极 *二极管类型:肖特基 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:40V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 5A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200µA @ 40V 工作温度 - 结:150°C（最大） 安装类型:通孔 标签: 包装: *二极管配置:1 对共阴极 *二极管类型:标准 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:200V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:10A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:930mV @ 10A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:30ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 200V 工作温度 - 结:150°C（最大） 安装类型:通孔 标签: 包装: *二极管配置:1 对共阴极 *二极管类型:肖特基 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:40V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:7.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 7.5A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:300µA @ 40V 工作温度 - 结:150°C（最大） 安装类型:通孔 标签: 包装: *二极管配置:- *二极管类型:- *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:- *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *速度:- 反向恢复时间（trr）:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 工作温度 - 结:- 安装类型:- 标签: 包装: *二极管配置:1 对共阳极 *二极管类型:标准 *电压 - dc 反向（vr）（最大值）:70V *电流 - 平均整流（io）（每二极管）:215mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 75V 工作温度 - 结:150°C（最大） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装:
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二极管配置：1 对共阳极
二极管类型：标准
电压 - dc 反向（vr）（最大值）：70V
电流 - 平均整流（io）（每二极管）：215mA
速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
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丝印：
外壳：
封装：SSD3
料号：E4-6036
包装：
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可供数量:咨询
总额：
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